103 Tipo enriquecimiento 3 terminales (enhancement)

La construcción básica de un mosfet de empobrecimiento canal n, consta de una placa base donde se construye el dispositivo que es de tipo p a partir de una base de silicio conocida como sustrato.

Tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la conductividad.

Simbología mosfet 3

terminales enhancement.